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碳方程新材料公司在CVD長晶設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)上形成了完善的設(shè)備及產(chǎn)品體系,并且在CVD金剛石實(shí)驗(yàn)室生長工藝研發(fā)上取得了突破性的進(jìn)展,以“設(shè)備+工藝”為方針,相互引導(dǎo),相互依托,以規(guī)模生產(chǎn)為研發(fā)基石,共筑”MPCVD”生產(chǎn)技術(shù)藍(lán)圖。

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單晶金剛石 VS 多晶金剛石:一文看懂它們的異同

  • 作者:碳方程新材料(山西)有限公司
  • 類別:行業(yè)新聞
  • 更新時間:2025-05-30 14:08:33
  • 瀏覽量:11人閱讀


金剛石—“硬度之王”

金剛石,有“硬度之王”的美譽(yù),在材料科學(xué)領(lǐng)域占據(jù)著舉足輕重的地位。依據(jù)晶體結(jié)構(gòu)差異,金剛石可細(xì)分為單晶金剛石與多晶金剛石,這兩類材料雖具備諸多共性,但微觀結(jié)構(gòu)的不同致使它們在性能表現(xiàn)、制備手段以及應(yīng)用范疇等層面呈現(xiàn)出顯著區(qū)別。


相同點(diǎn):“硬核” 出身的天然優(yōu)勢

單晶金剛石和多晶金剛石都屬于金剛石,都具有硬度之王的特性,即使用最鋒利的鋼鐵刀具,幾乎無法留下任何痕跡。其次,兩者都擁有超高的耐磨性,在長期使用過程中,能夠保持自身形狀和性能的穩(wěn)定,不易被磨損消耗。同時都具有良好的熱導(dǎo)率,可以快速將熱量傳遞出去,避免因溫度過高而影響自身性能。這些共同的優(yōu)秀特質(zhì),讓它們在眾多材料中脫穎而出,成為科研和工業(yè)領(lǐng)域的 “香餑餑”。

微觀結(jié)構(gòu)差異

單晶金剛石擁有高度規(guī)整、近乎完美的晶體結(jié)構(gòu)。從原子尺度來看,它的碳原子排列極其規(guī)整,按照固定的晶體結(jié)構(gòu)無限重復(fù)延伸,整個晶體內(nèi)部幾乎不存在晶界,是一個完整、單一的晶體。這使得電子云分布均勻?qū)ΨQ,化學(xué)鍵能恒定且強(qiáng)大,維系著物理性質(zhì)在宏觀層面的極致均一性。


多晶金剛石由許多大小不一、取向各異的小晶體(晶粒)聚集而成,這些小晶粒之間存在著晶界,由于晶界的存在,多晶金剛石的結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜,沒有單晶金剛石那樣規(guī)則和統(tǒng)一。

物理性能差異

在硬度方面,雖然兩者都非常硬,但單晶金剛石由于其完美的晶體結(jié)構(gòu),在某些方向上硬度表現(xiàn)更為突出,摩氏硬度為10,具有極高的耐磨性,甚至可以達(dá)到多晶金剛石的數(shù)倍,堪稱 “硬度王者”。


光學(xué)性能上,單晶金剛石憑借其純凈、單一的結(jié)構(gòu),具有極高的透明度和光學(xué)均勻性,是制造高端光學(xué)器件的理想材料,比如用于制造精密的激光窗口和光學(xué)透鏡。而多晶金剛石由于晶界的存在,會對光線產(chǎn)生散射作用,導(dǎo)致其光學(xué)性能相對較差,可在部分對成本敏感、光學(xué)精度要求相對溫和的照明、顯示器件領(lǐng)域得到應(yīng)用。

熱導(dǎo)率與熱穩(wěn)定性

單晶金剛石室溫下熱導(dǎo)率高達(dá)2000 W/(m·K)以上,能在高溫高壓環(huán)境下保持穩(wěn)定的物理和化學(xué)性質(zhì),可應(yīng)用于大功率半導(dǎo)體散熱、激光設(shè)備溫控等領(lǐng)域。


多晶金剛石:熱導(dǎo)率雖因晶界散射有所降低,但在特定溫度區(qū)間內(nèi),晶界對聲子散射路徑的干擾可轉(zhuǎn)化為優(yōu)勢,實(shí)現(xiàn)對熱導(dǎo)率的調(diào)控,可作為半導(dǎo)體功率器件散熱的熱沉應(yīng)用,其沉淀技術(shù)水平相對容易實(shí)現(xiàn),制備成本也更具優(yōu)勢。

制備工藝差異

單晶金剛石和多晶金剛石的制備過程,就像它們選擇了不同的 “成長之路”。單晶金剛石的制備難度較大,目前主要采用高溫高壓法(HPHT)和化學(xué)氣相沉積法(CVD)。高溫高壓法是模擬天然金剛石在地球深處的生長環(huán)境,在高溫(約 1300 - 1700℃)和高壓(約 5 - 7GPa)條件下,促使碳原子重新排列結(jié)晶形成單晶金剛石?;瘜W(xué)氣相沉積法則是在高溫低壓環(huán)境下,將含有碳元素的氣體分解,使碳原子在基底上逐漸沉積生長,最終形成單晶金剛石薄膜。這兩種方法都需要精確控制各種條件,才能制備出高質(zhì)量的單晶金剛石。


多晶金剛石的制備方法通過化學(xué)氣相沉積法制備多晶金剛石時,由于不需要嚴(yán)格控制晶體的單一取向,生長條件相對寬松,因此更容易實(shí)現(xiàn)大面積、快速生長,成本也相對較低。

碳方程50200A MPCVD設(shè)備

碳方程50200A MPCVD設(shè)備采用915MHZ的微波頻率及50KW運(yùn)行功率,該設(shè)備單爐可生產(chǎn)8英寸多晶產(chǎn)品,若用于生產(chǎn)單晶金剛石,單爐能夠穩(wěn)定產(chǎn)出多達(dá) 489 片尺寸為 7*7mm 的單晶金剛石,更大尺寸的多晶產(chǎn)品意味著更高的生產(chǎn)效率和更低的單位成本,能夠滿足客戶大規(guī)模生產(chǎn)的需求。同時,我們的設(shè)備在技術(shù)方面也有著諸多創(chuàng)新和突破,確保了產(chǎn)品的高質(zhì)量和穩(wěn)定性。有效降低生產(chǎn)成本,提高產(chǎn)品的市場競爭力。

應(yīng)用領(lǐng)域多元化

單晶金剛石:

(一)半導(dǎo)體領(lǐng)域:作為理想的襯底材料,其寬禁帶、高載流子遷移率等特性有助于晶體管、功率模塊突破高頻、高壓運(yùn)行瓶頸,推動5G基站、電動汽車動力系統(tǒng)芯片等的革新。

(二)光學(xué)儀器制造:用于制造高精度的光學(xué)窗口、透鏡等,如紅外探測器、太空望遠(yuǎn)鏡等,可提高設(shè)備的光線捕捉和解析能力。

(三)超精密加工:如制造切削工具,可實(shí)現(xiàn)對材料的高精度、高效率加工,在加工有色金屬時,表面粗糙度可達(dá)Rz0.1-Rz0.05μm,被加工工件的形狀精度控制在50nm以下。


多晶金剛石:

(一)研磨拋光:作為精密磨料,廣泛應(yīng)用于藍(lán)寶石晶片、碳化硅晶片、功能陶瓷等硬脆材料的精磨和拋光,能在保證加工質(zhì)量的同時提高效率。

(二)電子封裝:多晶金剛石薄膜可作為散熱基板,解決芯片發(fā)熱問題,為電子產(chǎn)品的輕薄化和性能提升提供支持。

(三)半導(dǎo)體散熱:多晶金剛石膜可作為半導(dǎo)體功率器件散熱的熱沉,提高器件的散熱性能,保證其穩(wěn)定運(yùn)行。

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